实验室用水常识

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实验室用水常识1 }: S. Z5 Q. ^ 水是实验室内一个常常被忽视但至关重要的试剂。实验室用水有哪些种类?能达到什么级别?不同实验对水的要求有那些?为澄清这些模糊的概念,作者阅读并记录了一些相关资料,其中绝大多数资料是从外文资料翻译过来的。/ K! K2 c" t: j1 Y1 i 实验室常见的水的种类: % \7 b( U; M# h- D" z/ [ 1、蒸馏水(Distilled Water ): ! x* l$ Z/ U# i 实 验室最常用的一种纯水,虽设备便宜,但极其耗能和费水且速度慢,应用会逐渐减少。蒸馏水能去除自来水内大部分的污染物,但挥发性的杂质无法去除,如二氧化 碳、氨、二氧化硅以及一些有机物。新鲜的蒸馏水是无菌的,但储存后细菌易繁殖;此外,储存的容器也很讲究,若是非惰性的物质,离子和容器的塑形物质会析出造成二次污染。 ) @* r& b$ \* N4 d- ?& |2、去离子水(Deionized Water ): 0 ]0 m) E% _& r9 o# G 应用离子交换树脂去除水中的阴离子和阳离子,但水中仍然存在可溶性的有机物,可以污染离子交换柱从而降低其功效,去离子水存放后也容易引起细菌的繁殖。 . H& J+ y1 C& r% M$ L 3、反渗水(Reverse osmosis Water): + R6 ~% m! d. |8 [ 其生成的原理是水分子在压力的作用下,通过反渗透膜成为纯水,水中的杂质被反渗透膜截留排出。反渗水克服了蒸馏水和去离子水的许多缺点,利用反渗透技术可以有效的去除水中的溶解盐、胶体,细菌、病毒、细菌内毒素和大部分有机物等杂质,但不同厂家生产的反渗透膜对反渗水的质量影响很大。 2 z7 v0 v0 g6 ~$ z7 I( a+ Q9 ^ 4、超纯水(Ultra-pure grade water): ! A: H3 n! C7 J/ n/ i3 O& N 其标准是水电阻率为18.2MΩ-cm。但超纯水在TOC、细菌、内毒素等指标方面并不相同,要根据实验的要求来确定,如细胞培养则对细菌和内毒素有要求,而HPLC则要求TOC低。 - \% U' N7 Y3 b7 a" z. ~+ W- {: }4 @4 W5 F, y* R 6 f- E5 z7 M/ q6 U$ J评价水质的常用指标: 1 r( J2 B" p- ~( B$ \( ` 1、电阻率(electrical resistivity): # G1 N' t4 v) Q( m, B( i9 R9 [衡量实验室用水导电性能的指标,单位为MΩ-cm,随着水内无机离子的减少电阻加大则数值逐渐变大,实验室超纯水的标准:电阻率为18.2MΩ-cm。 6 J4 V$ Z* y& g9 {2 ~2 k% `2、总有机碳(Total Organic Carbon ,TOC): + M7 Y9 b+ b9 q( z水中碳的的浓度,反映水中氧化的有机化合物的含量,单位为ppm 或 ppb。 2 @* W# O: Y6 v5 C& w3、内毒素(Endotoxin): ' W+ F' R* P' A& kB7 J: ^革兰氏阴性细菌的脂多糖细胞壁碎片,又称之为“热原”,单位cuf/ml。 / h- E! N$ o! w x2 x( l. ]0 e' r' e9 d5 lGB 6682-2000 中国实验室用水国家标准 . f, U- F5 X& b: D
名 称 2 z$ ^6 T! C: l# j/ Z' z一 级 % P) @1 [. O: s' r% i& M 二 级 O: |1 h& q- \$ ?三 级 3 s* F; _* y$ qA2 a
PH值范围(25℃) 4 }8 J) k# c- C# x' y, j' w - ! z, ~2 q1 D% |/ ^! [-# u" w( n4 Z/ n: l( gi0 `$ `w: L 5.0-7.5 * f& F) b7 D; A$ YX2 n
电导率(25℃),mS/m ≤ - Q" T5 Y' Z0 f6 X* q- ?: \7 \0.01 % D4 G. B* o( P0 P& o 0.10 2 @( g. y8 `+ Z/ d( t0.50 9 h( N5 ]& @! uc1 f/ a/ @
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥ . _% ~. I4 E4 {' I: ~4 T10 : _/ @/ a( B( i' h$ A 1 " ?$ L: W4 F+ I* V6 c3 xQ9 h 0.2 . b( n' E- [8 ?( g$ @- j. Z
可氧化物质[以(0)计],mg/L / I2 b. ~$ `" l4 T- 8 h% n6 K/ C. z7 @/ } 0.08 & I; ~3 \: u9 h1 C/ G. g5 Q* `( @ 0.40 , Q- M9 r+ |& |$ n5 B! J
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤ % n. m2 u1 Y; A?+ M( t; r& J 0.001 + `8 T! p/ r: B5 t- Q( p, n! i+ ^0.01 / h4 m+ c# F8 yH - ( J' ~: q0 i7 C1 b
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤ + S8 |5 Y: k# u& \+ N" x4 a - : {. S# i% q( |$ x; d* P1.0 ! P2 s# l7 X0 U 2.0 ( e5 }B; K' I' V8 C
可容性硅[以(sio2)计],mg/L< 3 a* k! x( N9 `- |0.01 + P8 U3 |; H& f& k5 }$ s0 v2 |0.02 % q1 T1 A' I" x% u# }5 b6 B -$ F0 I9 M- R! |$ A$ G

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